국가 핵심기술을 불법 유출해 중국 최초로 18나노 D램 반도체를 개발한 삼성전자 전직 임원과 연구원들이 구속 상태로 재판에 넘겨졌습니다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 오늘(1일) 삼성전자 전직 임원 양모씨, 전직 연구원 신모씨와 권모씨 등 3명을 산업기술보호법 위반 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속기소 했다고 밝혔습니다.

양씨 등은 삼성전자에서 중국 D램 반도체 회사 창신으로 이직해 불법 유출된 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가 핵심기술을 부정 사용해 개발을 완수한 혐의를 받습니다.

유출된 기술은 삼성전자가 1조6천억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정기술이었습니다.

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이동훈(yigiza@yna.co.kr)